RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
101
En 67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
101
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
1313
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link