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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2230
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
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