RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
43
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2867
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link