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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2974
3075
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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