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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3583
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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