RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
66
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
66
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
2038
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link