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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3845
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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