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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
52
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.5
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
52
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
2169
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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