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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3332
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
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