RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
97
En 70% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
97
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
1632
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link