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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
73
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
73
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
1744
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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