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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
3091
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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