RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
51
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
51
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2336
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link