RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2918
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link