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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
21.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
4349
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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