RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
80
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
80
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
1775
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link