Comparación de la memoria RAM Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Puntuación global

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 40

En -60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.2 13.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.4 8.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2035 2346

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns