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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2332
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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