RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
61
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
61
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
8.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
1813
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link