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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
95
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
95
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
1518
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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