RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2590
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link