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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB vs Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2302
2990
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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