RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2938
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link