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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2938
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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