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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3178
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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