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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2768
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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