RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3795
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link