RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
4000
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link