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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3911
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
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