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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3687
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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