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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3062
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
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