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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
28
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2994
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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