RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3562
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link