RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2929
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link