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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3504
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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