RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2659
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link