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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3701
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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