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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3182
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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