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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2305
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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