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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
84
En 67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
84
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
1486
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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