RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En 35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2501
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link