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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 45
    En 38% menor latencia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13 left arrow 12.9
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.9 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2112 left arrow 2079

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Memoria RAM
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Memoria RAM
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
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