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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
12.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2079
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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