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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2942
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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