RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2183
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link