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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
52
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2390
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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