RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3064
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link