RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3076
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link