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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3562
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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