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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
43
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1647
2096
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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