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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
58
En -164% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3297
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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